鲁勇
【姓名】 鲁勇
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;
【研究方向】 工艺模拟与综合的研究工作
【发表文献关键词】 综合,FIB,MOSPAD,快闪存贮器,器件综合,带-带隧穿,工艺综合,沟道热电子,Fowler-Nordheim,响应表面方法,分离电压法,源极串扰,BeNOR,Flash存贮器,器件稳健性设计,字...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]鲁亚诗;张伟;李高庆;刘道广;李希有;鲁勇;刘爱华;张翔;.一种低噪声SiGe微波单片放大电路[J]微电子学.2006,(05)
[2]谢晓锋,鲁勇,李钊,阮骏,姚依,张文俊,杨之廉.半导体器件建模与优化系统[J]半导体学报.2003,(03)
[3]鲁勇,张文俊,郑期彤,李成,杨之廉.工艺综合及其在MOSFET和双极器件中的应用[J]微电子学.2003,(01)
[4]严利人,曹秉军,鲁勇.利用Nikon光刻机进行膜应力评价[J]微细加工技术.2002,(04)
[5]潘立阳,朱钧,刘志宏,曾莹,鲁勇.一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器(英文)[J]半导体学报.2002,(07)
[6]鲁勇,谢晓峰,张文俊,杨之廉.半导体器件与工艺综合[J]半导体学报.2002,(07)
[7]谢晓锋,鲁勇,张文俊,杨之廉.利用响应表面方法的器件稳健性设计(英文)[J]半导体学报.2002,(08)
[8]潘立阳,刘楷,朱钧,仲涛,鲁勇,傅玉霞.新型嵌入式BeNOR结构Flash存贮器[J]半导体学报.2002,(08)
[9]鲁勇,张文俊,杨之廉.响应表面法在工艺综合中的应用[J]半导体学报.2002,(10)
[10]鲁勇,张文俊,郑期彤,李成,杨之廉.工艺综合与响应表面法的应用[J]电子学报.2002,(09)
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