学者知网节

【姓名】	刘志弘
【职称】	高级工程师;
【研究领域】	无线电电子学;计算机硬件技术;计算机软件及计算机应用;
【研究方向】
【发表文献关键词】	浮栅,单层多晶EEPROM,三阱工艺,微波功率放大器,异质结双极晶体管,锗硅,标准CMOS工艺,SiGe,超高真空低压化学汽相淀积,多晶,EEPROM,湿法腐蚀,发射极台面,UHV/CVD,发射极,电...
【工作单位】	清华大学
【曾工作单位】	清华大学;
【所在地域】	北京

中国期刊全文数据库 共找到30篇

[1]严利人;刘道广;刘志弘;.数据挖掘在IGBT模型参数提取中的应用研究[J]微电子学.2020,(06)

[2]严利人;刘道广;刘志弘;梁仁荣;.MOS器件开启电压值的贝叶斯统计推断[J]微电子学.2020,(05)

[3]孙亚宾;付军;王玉东;周卫;张伟;刘志弘;.Extraction of temperature dependences of small-signal model parameters in SiGe HBT HICUM model[J]Chinese Physics B.2016,(04)

[4]严利人;李岱;张伟;刘志弘;周伟;王全;.Molecular dynamic simulation of non-melt laser annealing process[J]Journal of Semiconductors.2016,(03)

[5]仇坤;倪炜江;牛喜平;梁卫华;陈彤;刘志弘;.一种新型4H-SiC双极结型晶体管的研究[J]微电子学.2016,(03)

[6]孙亚宾;付军;许军;王玉东;周卫;张伟;崔杰;李高庆;刘志弘;.Comparison of total dose effects on SiGe heterojunction bipolar transistors induced by different swift heavy ion irradiation[J]Chinese Physics B.2014,(11)

[7]孙亚宾;付军;许军;王玉东;周卫;张伟;崔杰;李高庆;刘志弘;余永涛;马英起;封国强;韩建伟;.A single-event transient induced by a pulsed laser in a silicon-germanium heterojunction bipolar transistor[J]Chinese Physics B.2013,(05)

[8]孙亚宾;付军;许军;王玉东;周卫;张伟;崔杰;李高庆;刘志弘;.不同剂量率下锗硅异质结双极晶体管电离损伤效应研究[J]物理学报.2013,(19)

[9]周佩明;付军;周天舒;李平梁;徐向明;王玉东;张伟;崔杰;刘志弘;.SiGe HBT MEXTRAM模型参数的直接提取[J]微电子学.2011,(05)

[10]郭磊;赵硕;王敬;刘志弘;许军;.Fabrication of strained Ge film using a thin SiGe virtual substrate[J]半导体学报.2009,(09)

中国重要会议全文数据库 共找到1篇

[1]张志刚;谢丹;刘志弘;朱均;.剪切模式压电驱动元件及其表征[A].第十三届全国高技术陶瓷学术年会摘要集.2004-10-14

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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