刘豫东
【姓名】 刘豫东
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 电子封装与电子材料研究
【发表文献关键词】 Cd扩散,缺陷,InSb材料,EBSP,铟,凸点,电镀,Pb/Sn焊料,桥接,焊料凸点,InSb,绝缘金属基板,溅射,电镀法,磁控溅射,扩散对,铟凸点,晶体质量,铝,磁控,织构,光刻胶,阳极氧化膜,焊...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]刘豫东,崔建国,马莒生.衬底对铟凸点织构的影响研究[J]稀有金属材料与工程.2003,(08)
[2]朱继满,刘豫东,马莒生.理想绝缘金属基板前处理工艺的研究[J]功能材料与器件学报.2003,(01)
[3]陈国海,刘豫东,马莒生.Al焊盘表面氧化膜对金丝键合的影响[J]稀有金属材料与工程.2005,(01)
[4]刘豫东,杜红燕,张刚,董硕,马莒生.Cd掺杂扩散诱发InSb晶体缺陷的X光研究[J]激光与红外.2005,(03)
[5]刘豫东,张钢,朱继满,马莒生.EBSP对磁控溅射铟的晶化组织的研究[J]稀有金属.2002,(04)
[6]刘豫东,谭智敏,钱志勇,马莒生.焊料凸点回流时的桥接现象研究[J]电子元件与材料.2002,(08)
[7]刘豫东,谭智敏,钱志勇,马莒生.Pb/Sn凸点的制备[J]电子元件与材料.2002,(09)
[8]刘豫东,邹红英,杜红燕,董硕,朱继满,马莒生.Cd扩散对InSb晶体质量的影响[J]激光与红外.2002,(02)
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