刘佳磊
【姓名】 刘佳磊
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 超高真空化学气相淀积,渐变Ge分布,SiGe材料,外延材料,气路系统,分布图形,自行研制,外延片,二次离子质谱,外延生长,优化,基区渡越时间,锗硅,测试技术,双晶衍射,高真空化学气相外延,最大振荡频率...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到2篇
[1]刘佳磊;刘志弘;陈长春;.超高真空CVD对锗硅外延材料中锗分布的优化[J]微电子学.2006,(05)
[2]刘佳磊;梁仁荣;王敬;徐阳;许军;刘志弘;.Growth of Ge Layer on Relaxed Ge-Rich SiGe by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition[J]Tsinghua Science and Technology.2007,(06)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]刘佳磊.应变锗材料的制备及其表征[D].清华大学.2007
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