凌浩
【姓名】 凌浩
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 PMOSFET,外延隔离,多晶硅栅,MOSFET,选择性,漏区,阈值电压,外延,外延层,抗闩锁,沟道区,源漏结,多晶硅,闩锁,杂质分布,源漏穿通,PMOS,关态电流,栅长,短沟道效应,
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]凌浩,熊大菁.选择性外延隔离P~+多晶硅栅PMOSFET[J]半导体技术.1992,(02)
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