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[2]邓宁,王吉林,黄文韬,陈培毅,李志坚.多层Ge量子点的生长及其光学特性[J]半导体学报.2003,(09)
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[3]熊小义,刘志农,张伟,付玉霞,黄文韬,刘志弘,陈长春,窦维治,钱佩信.SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究[J]微纳电子技术.2003,(10)
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[9]熊小义,张伟,许军,刘志宏,陈长春,黄文韬,李希有,钟涛,钱佩信.BV_(CBO)为23V且f_T为7GHz30叉指微波功率SiGe HBT(英文)[J]半导体学报.2004,(10)
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[10]邓宁,张磊,黄文韬,陈培毅.超高真空化学气相淀积自组织生长锗量子点(英文)[J]纳米技术与精密工程.2004,(03)
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