刘继峰
【姓名】 刘继峰
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 CoSi_2薄膜,原子表面电子密度,应力,价键理论,TFD模型,内应力,电子密度,表面电子密度,原子,微观机制,本征应力,CoSi,价电子数,离子注入,Si衬底,Si基,空穴,原子半径,C原子,原子作...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]刘继峰,冯嘉猷,朱静.CoSi_2薄膜内应力的微观机制研究[J]自然科学进展.2001,(02)
[2]王若楠,刘继峰,冯嘉猷.C~+离子注入与CoSi_2薄膜应力的研究[J]自然科学进展.2002,(12)
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