冯曦
【姓名】 冯曦
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 RFLDMOS,准饱和,漂移区,场氧化层,氧化层结构,器件研究,击穿电压,饱和现象,工艺流程,截止频率,电学特性,大电流,器件结构,扩散工艺,传统,改进,高电压,注入,电学参数,跨导,
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]冯曦;王纪民;刘道广;.具有漂移区场氧化层结构的射频LDMOS器件研究[J]微电子学.2006,(05)
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[1]冯曦.射频功率LDMOS器件设计[D].清华大学.2006
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