冯嘉猷
【姓名】 冯嘉猷
【职称】 教授;
【研究领域】 工业通用技术及设备;无线电电子学;物理学;
【研究方向】 薄膜物理和材料的研究
【发表文献关键词】 子团,离化团束,离化原子,离化原子团束,薄膜淀积,Znse,外延,硒化锌,CN薄膜,Co／Pt多层膜,磁矫顽力,薄膜沉积,原子,ZnSe单晶,硒化,GaAs,单晶薄膜,离化,离子束溅射,离化原子团,饱...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[3]冯嘉猷;何悦;毕磊;.镍诱导纳米晶硅薄膜的生长[J]江苏大学学报(自然科学版).2007,(02)
[4]高阳;曾飞;文胜平;冯嘉猷;潘峰;.PdSi合金与金属Cr膜压痕蠕变研究[J]实验室研究与探索.2007,(10)
[5]刘继峰,冯嘉猷,朱静.CoSi_2薄膜内应力的微观机制研究[J]自然科学进展.2001,(02)
[6]王若楠,刘继峰,冯嘉猷.C~+离子注入与CoSi_2薄膜应力的研究[J]自然科学进展.2002,(12)
[7]冯嘉猷，张芳伟，范玉殿，李恒德.ICB方法生长CdTe单晶薄膜的研究[J]半导体学报.1994,(03)
[8]张芳伟，冯嘉猷，郑毅，范玉殿.Te原子团的形成研究[J]清华大学学报(自然科学版).1994,(03)
[9]张芳伟，冯嘉猷，郑毅，范毓殿.离化原子团束外延ZnSe单晶薄膜[J]清华大学学报(自然科学版).1994,(06)
[10]张芳伟,冯嘉猷,郑毅,范毓殿.在GaAs(100)衬底上离化团束外延ZnSe单晶薄膜[J]真空科学与技术.1994,(06)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]高阳;曾飞;文胜平;冯嘉猷;潘峰;.PdSi合金与金属Cr膜压痕蠕变研究[A].第七届全国MTS材料试验学术会议论文集（一）.2007-10-22
[2]高阳;文胜平;冯嘉猷;潘峰;.PdSi合金与金属Cr膜压痕蠕变研究[A].庆祝中国力学学会成立50周年暨中国力学学会学术大会’2007论文摘要集（下）.2007-08-20
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[1]冯嘉猷;.金属诱导纳米晶硅发光材料的研究[A].清华大学;.项目经费 28万元.2005-03-31.资助文献数 2 篇
[2]冯嘉猷;.界面电子结构对金属硅化物薄膜性能的影响[A].清华大学;.项目经费 18万元.2001-03-31.资助文献数 2 篇
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