费新
【姓名】 费新
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 NPN结构,输入电路,CMOS,失效阈值,SD性,弧隙,抗E,二极管,敏度,静电放电,静电,硅电阻,电阻,收集极,基极结,扩散区,保护网络,输入保护,内部电路,参数对,
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】
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[1]费新，朱正涌.CMOS输入电路抗ESD性能研究[J]半导体技术.1995,(02)
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