程玉华
【姓名】 程玉华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 退变,热载流子,恒流应力,衬底电流,雪崩,空穴注入,应力条件,热载流子注入,栅氧化层,MOSFET's,开启电压,漏电压,电子注入,亚微米,MOSFET,空穴陷阱,特性研究,空穴,实验研究,界面态,恒...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]程玉华,李瑞伟,李志坚.漏雪崩应力下热载流子注入引起的MOSFET退变特性研究[J]半导体学报.1993,(12)
[2]程玉华,李瑞伟,李志坚.不同应力条件下亚微米MOSFET's热载流子退变特性实验研究[J]半导体学报.1993,(12)
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