陈文松
【姓名】 陈文松
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 NMOSFET,器件按比例缩小,界面态,短沟效应,功耗管理,氮氧化硅,隧穿,低温工作,电荷泵,深亚微米,栅介质,漏区,开启电压,栅电流,MOSFET,衬底电流,沟道,Poisson方程,功耗,横向分布...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]陈文松,田立林,李志坚.深亚微米MOSFET短沟效应的变分法分析[J]清华大学学报(自然科学版).1999,(S1)
[2]刘卫东,李志坚,刘理天,田立林,陈文松,熊大箐.超薄氮氧化硅(Sio_xN_y)栅NMOSFET中GIDL效应的研究[J]半导体学报.1997,(07)
[3]杨晓东,田立林,陈文松.一种基于电荷泵技术的界面态横向分布测量方法[J]半导体学报.1998,(11)
[4]陈文松.芯片功耗限制对器件按比例缩小的影响[J]微电子学.1998,(03)
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