何为
【姓名】 何为
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;贸易经济;高等教育;
【研究方向】 产业组织理论、电子商务
【发表文献关键词】 全固源分子束外延,As4,As2,InAsyP1-y/InP量子阱,固源分子束外延,应变多量子阱,光致荧光,量子点,InAs,应变补偿多量子阱,蒙特卡罗模拟,多量子阱,应变补偿,InGaP,InGaA...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[8]郝智彪,任在元,何为,罗毅.全固源分子束外延InAsP/InGaAsP多量子阱1.55μm激光器[J]固体电子学研究与进展.2002,(02)
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