费新礴
【姓名】 费新礴
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 DLTS,深能级,Latch,保护环,电荷,有源区,CMOS电路,砷化镓材料,DLTS方法,触发点,外延片,收集极,体硅,空穴流,LED器件,外延层,维持电压,二维器件模拟,电路,端结,流技术,维持电...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]费新礴，朱正涌.CMOS电路抗Latchup性能研究[J]半导体学报.1995,(05)
[2]董琪,郑心畬,陈培毅,费新礴.电荷DLTS及其对硅上砷化镓材料中深能级的测量[J]半导体学报.1991,(05)
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