费圭甫
【姓名】 费圭甫
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;核科学技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 微静电马达,转子,硅杯,多晶硅,集成,腐蚀,结构改进,半导体工艺,储器,存储器电路,开启电压,掺砷,离子注入,集成压力传感器,复合膜,牺牲层,掺磷,微马达,光伏器件,场阈值电压,击穿电压,感器,数字集...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]刘理天,谢会开,费圭甫.硅杯型集成压力传感器的研制[J]仪表技术与传感器.1994,(01)
[2]吴正立，严利人，王纪民，蒋志，费圭甫，王美荣，乔忠林.超薄SiO_2层的热生长[J]微电子学.1996,(03)
[3]吴正立，严利人，王纪民，蒋志，费圭甫，王美荣，乔忠林.掺砷多晶硅的热氧化[J]微电子学.1996,(03)
[4]吴正立，严利人，王纪民，蒋志，王勇，费圭甫，王美荣，乔忠林.EEPROM工艺中场开启电压的特殊要求与对策[J]微电子学.1996,(04)
[5]吴正立，严利人，王纪民，蒋志，王勇，费圭甫.N管开启电压调整注入对P－N结击穿电压的影响[J]微电子学.1996,(04)
[6]吴正立,严利人,王纪民,蒋志,王勇,费圭甫.提高E~2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究[J]微电子学.1996,(05)
[7]吴正立,严利人,王纪民,蒋志,王勇,费圭甫.E~2PROM制造中耗尽型N管夹断电压的工艺控制[J]微电子学.1996,(05)
[8]吴正立,严利人,王纪民,蒋志,王勇,费圭甫.E~2PROM中PMOS管开启电压的工艺控制[J]微电子学.1996,(05)
[9]王勇,张继盛,费圭甫.硅微条粒子探测器[J]核电子学与探测技术.1997,(03)
[10]孙曦庆,李志坚,费圭甫,刘理天.一种结构改进了的硅基微静电马达[J]半导体学报.1993,(07)
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