陈永麒
【姓名】 陈永麒
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 无显影气相光刻,光致诱蚀,诱蚀剂,氧化层,晶闸管元件,晶闸管,氧化硅,大功率,曝光区,氟阴离子,生产中,纵宽比,光刻图形,光刻胶,黑胶,大功率器件,厚二氧化硅,腐蚀反应,作用机理,二氢,针孔密度,硝基...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】
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[1]王培清，卢建平，陈永麒，张斌，洪啸吟.光致诱蚀无显影气相光刻（DFVP）作用机理及其应用[J]半导体技术.1995,(02)
[2]王培清，卢建平，陈永麒.无显影气相光刻在大功率晶闸管元件生产中的应用[J]电力电子技术.1995,(02)
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