刘世国
【姓名】 刘世国
【职称】
【研究领域】 电力工业;无线电电子学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 晶化,孵化时间,微晶化,接触特性,固相,硼合金,掺硼,掺杂特性,窗口材料,掺锗率,SnO_2,氢稀释率,硅锗,非晶硅,非晶,电导率,填充因子,电流匹配,窗口层,非晶硅基叠层太阳电池,太阳电池,迁移率,...
【工作单位】 南开大学
【曾工作单位】 南开大学;
【所在地域】
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[1]于振瑞，耿新华，孙云，刘世国，孙钟林，徐温元.掺硼（B）非晶硅（a－Si：H）材料固相晶化（SPC）的研究[J]太阳能学报.1994,(02)
[2]耿新华，孙云，刘世国，李洪波，陆靖谷，孙建，徐温元.P型μC－SiC：H窗口材料掺杂特性的研究[J]太阳能学报.1994,(04)
[3]耿新华，刘世国，李洪波，孙云，孙钟林，徐温元.SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响[J]太阳能学报.1995,(03)
[4]王广才,耿新华,孙云,李洪波,孙建,刘世国,陆靖谷.高质量非晶硅锗材料的研制[J]半导体杂志.1997,(02)
[5]王广才,孙建,耿新华,孙云,李洪波,刘世国,陆靖谷.非晶硅锗单结电池的研究[J]半导体杂志.1997,(03)
[6]王广才,耿新华,李洪波,孙云,孙建,陆靖谷,刘世国.大面积高效率高稳定非晶硅太阳电池的研究[J]光电子·激光.1998,(02)
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