于振瑞
【姓名】 于振瑞
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 非晶态半导体超晶格,晶化,微晶碳化硅,孵化时间,退火,固相,诱导pn结,C-V测试,电荷俘获效应,离子注入C,富硅氧化硅,掺硼,持续光电导,超晶格,兰移,带隙,非晶硅,横向电压,电导率,窗口层,迁移率...
【工作单位】 南开大学
【曾工作单位】 南开大学;
【所在地域】 天津
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中国期刊全文数据库    共找到5篇
[1]于振瑞,杜金会,张加友,李长安,Aceves M.Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应[J]半导体学报.2003,(11)
[2]孙钟林,薛俊明,耿卫东,于振瑞,陆靖谷.硅中注入高浓度碳形成微晶碳化硅的研究[J]光电子·激光.2001,(12)
[3]于振瑞，耿新华，孙云，刘世国，孙钟林，徐温元.掺硼（B）非晶硅（a－Si：H）材料固相晶化（SPC）的研究[J]太阳能学报.1994,(02)
[4]于振瑞,孙仲林.a-Si:H合金膜的高速制备法[J]红外研究(A辑).1987,(03)
[5]于振瑞,孙仲林.非晶态半导体超晶格研究中的几个问题[J]物理.1988,(11)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]于振瑞;YasuhiroMatsumoto;.掺杂浓度对a-Si:H薄膜低温铝诱导晶化的影响[A].中国第六届光伏会议论文集.2000-10-01
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