杨从光
【姓名】 杨从光
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs/Si,MOCVD方法,MOCVD,工艺技术,外延层,GaAs外延层,缓冲层,位错,反相畴,Si片,单晶片,Si表面,Si衬底,外延,Si界面,生长温度,单晶,外延工艺,氧化层,外延生长,
【工作单位】 南京工学院
【曾工作单位】 南京工学院;
【所在地域】
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[1]杨从光,庄庆德.MOCVD GaAs/Si兼容技术及其应用[J]微电子学.1988,(05)
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