邵凯
【姓名】 邵凯
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;电信技术;电力工业;
【研究方向】 GaAs器件和超导器件的研制
【发表文献关键词】 数字硅金属氧化物场效应晶体管,微波特性,集成低噪声放大器,多栅场效应晶体管,砷化镓单片集成电路,单片开关,MOSFET,高成品率,双刀双掷开关,砷化镓,射频开关,数字硅,砷化镓单片,前置放大器,SPD...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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[1]钱峰;陈堂胜;郑远;李拂晓;邵凯;.DC-40 GHz光通信系统用GaAs PHEMT驱动放大器。[J]固体电子学研究与进展.2006,(03)
[2]焦世龙;陈堂胜;蒋幼泉;冯欧;冯忠;杨立杰;李拂晓;陈辰;邵凯;叶玉堂;.5Gb/s GaAs MSM/PHEMT单片集成光接收机前端[J]固体电子学研究与进展.2006,(03)
[3]焦世龙;陈堂胜;钱峰;冯欧;蒋幼泉;李拂晓;邵凯;叶玉堂;.5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端[J]半导体学报.2007,(04)
[4]焦世龙;陈堂胜;蒋幼泉;钱峰;李拂晓;邵凯;叶玉堂;.20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器[J]电子学报.2007,(05)
[5]焦世龙;杨先明;赵亮;李辉;陈镇龙;陈堂胜;邵凯;叶玉堂;.10Gb/s GaAs PHEMT高增益光接收机前置放大器(英文)[J]半导体学报.2007,(12)
[6]钟世昌;陈堂胜;任春江;焦刚;陈辰;邵凯;杨乃彬;.X波段连续波119W GaN功率HEMT[J]固体电子学研究与进展.2008,(04)
[7]焦世龙;叶玉堂;陈堂胜;杨先明;李拂晓;邵凯;吴云峰;.2.5 Gb/s GaAs PIN/PHEMT单片集成光接收机前端[J]光电子.激光.2008,(02)
[8]柏松;吴鹏;陈刚;冯忠;李哲洋;林川;蒋幼泉;陈辰;邵凯;.S波段280W SiC内匹配脉冲功率管[J]固体电子学研究与进展.2008,(01)
[9]柏松;吴鹏;陈刚;冯忠;李哲洋;林川;蒋幼泉;陈辰;邵凯;.S波段280W SiC内匹配脉冲功率管[J]固体电子学研究与进展.2008,(02)
[10]柏松;吴鹏;陈刚;冯忠;李哲洋;林川;蒋幼泉;陈辰;邵凯;.S波段280W SiC内匹配脉冲功率管[J]固体电子学研究与进展.2008,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到4篇
[1]李拂晓;蒋幼泉;陈继义;钮利荣;高建峰;邵凯;杨乃彬;.高成品率手机用砷化镓单片开关[A].2001年全国微波毫米波会议论文集.2001-10-01
[2]李拂晓;蒋幼泉;徐中仓;钮利荣;邵凯;杨乃彬;.一种高可靠的砷化镓单片DPDT射频开关[A].2001年全国微波毫米波会议论文集.2001-10-01
[3]蒋幼泉;李拂晓;黄念宁;陈继义;邵凯;杨乃彬;.手机用砷化镓单刀双掷射频开关[A].2001年全国微波毫米波会议论文集.2001-10-01
[4]许正荣;陈新宇;蒋幼泉;张斌;李拂晓;邵凯;.新型移动通信用GaAs MMIC SPDT开关[A].2003'全国微波毫米波会议论文集.2003-11-08
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