桂德成
【姓名】 桂德成
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 微波控制器件
【发表文献关键词】 P-N结,掺硅,结深,单晶,掺杂比,聚合物半导体,热氧化,杂质,本物,纳米硅,双掺杂,p-n结,宽势阱光电器件,场效应管,少子库,异质结,迁移率,硅表面,再分布,载流子浓度,扩散结,极化子,湿氧氧化,...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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[1]何宇亮,王因生,桂德成,陈堂胜,顾晓春.纳米硅异质结二极管[J]固体电子学研究与进展.2000,(01)
[2]陈钟谋,桂德成,朱健,钱辉作.宽势阱半导体光电器件研究[J]固体电子学研究与进展.2000,(02)
[3]林金庭,徐稼迟,王因生,桂德成,熊承堃.双掺硅单晶及其P-N结研究[J]固体电子学研究与进展.1984,(04)
[4]徐稼迟,桂德成,林金庭.双掺硅单晶基本物理特性的研究[J]固体电子学研究与进展.1985,(01)
[5]桂德成,徐稼迟,林金庭.双掺硅片热氧化后形成p-n结的结深研究[J]固体电子学研究与进展.1985,(02)
[6]桂德成;钱辉作;.器件热特性的初步分析[J]电子工艺技术.1986,(10)
[7]袁仁宽,杨树成,袁宏,江若莲,郑有炓,钱辉作,桂德成.聚合物半导体PAn表面场效应管[J]半导体学报.1993,(12)
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