印建华
【姓名】 印建华
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;电信技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 声表面波,存贮相关卷积器,卷积,声表面波抽头延迟线,二极管,少子寿命,二极管阵列,卷积器,卷积输出,LiNbO_3,输入信号,参考信号,直流偏压,结电容,写信号,非线,线抽头,反向偏置,谐波输出,延迟...
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】 南京
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[1]印建华，申扣喜，水永安，蒋智亮，何世平.一种新型声表面波──二极管卷积器[J]电子学报.1994,(11)
[2]吴宗森;印建华;.半导体中的声电相互作用[J]物理学进展.1996,(Z1)
[3]张朝,水永安,印建华.LiNbO_3/p~+n二极管声表面波存贮相关卷积器[J]中国科学E辑:技术科学.1997,(05)
[4]张朝,水永安,印建华.LiNbO_3/p~+n diode surface acoustic wave memory correlator[J]Science in China(Series E:Technological Sciences).1997,(05)
[5]张朝;赵杰;印建华;水永安;.声表面波存贮相关卷积器的研制[J]电子学报.1998,(06)
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