王志超
【姓名】 王志超
【职称】 副教授;
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】 教学和科研工作
【发表文献关键词】 沉积膜,超晶格薄膜,底表面,衬底温度,生长速率,PCVD,a-Si,a-Si,膜的制备,超晶格,凝聚团,衬度,原子,非晶半导体,不同衬底,非辐射复合,升华能,多层膜,子层,光声谱仪,晶粒,硅烷,材料表...
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】 南京
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[1]许多;孙浩滢;王志超;沈葛梁;张弘毅;文宗涵;韩露;邓昱;聂越峰;.硅基BaTiO_3外延薄膜的晶格弛豫行为与畴结构调控[J]硅酸盐学报.2025,(09)
[2]王志超,吴刚,孙美祥,陈润华.在PCVD过程中衬度温度对Si沉积膜的影响[J]电子学报.1986,(05)
[3]王志超,宋杰.a-Si在不同衬底材料表面凝聚和生长的状况[J]物理学报.1987,(01)
[4]王志超,刘湘娜,何宇亮,吴汝麟.a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜的制备及其性质[J]半导体学报.1987,(01)
[5]王志超,刘湘娜,冯小梅,耿晰昇.a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜的光学性质[J]物理学报.1988,(02)
[6]王志超,滕敏康,张淑仪,葛网大,邱树业.a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合[J]物理学报.1988,(08)
[7]邱树业;王志超;张淑仪;.非晶半导体超晶格薄膜的光声谱研究[J]汕头大学学报(自然科学版).1989,(02)
[8]邱树业;王志超;刘湘娜;冯小梅;.a-Si∶H/a-SiN_x∶H超晶格薄膜的光声谱[J]南京大学学报(自然科学版).1990,(01)
[9]王志超,滕敏康,刘吟春.用正电子湮没技术研究a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜中的界面缺陷[J]物理学报.1991,(12)
[10]滕敏康;王志超;.应用正电子湮没技术研究衬底温度对a-Si∶H薄膜结构的影响[J]南京大学学报(自然科学版).1991,(02)
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