王荣华
【姓名】 王荣华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;物理学;
【研究方向】 半导体材料生长及器件研究
【发表文献关键词】 锗硅基区,GeSi,SiGe合金,异质结双极型晶体管,合金,喇曼光谱,华丰,Ge组分,原子,代位式,组分,南京大学,淀积速率,喇曼,化肥,电子器件,生长速率,物理系,吸附几率,P-CVD,化学气相淀积...
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】 江苏南京
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[1]王荣华;.民国时期宁夏现代医疗卫生业述论[J]宁夏社会科学.2013,(06)
[2]王荣华;.张人鉴与《开发西北实业计划》[J]图书馆理论与实践.2013,(09)
[3]葛瑞萍;韩平;吴军;王荣华;俞斐;赵红;俞慧强;谢自力;张荣;郑有炓;.Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响[J]中国激光.2009,(05)
[4]吴军;王荣华;韩平;葛瑞萍;梅琴;俞斐;赵红;谢自力;张荣;郑有炓;.AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延[J]中国激光.2009,(05)
[5]李志兵;王荣华;韩平;李向阳;龚海梅;施毅;张荣;.Ge组分渐变的Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的制备[J]材料研究学报.2006,(03)
[6]王荣华;韩平;王琦;夏冬梅;谢自力;张荣;.Si_(1-y)C_y合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化[J]稀有金属.2007,(S2)
[7]王琦;王荣华;夏冬梅;郑有炓;韩平;谢自力;.用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长[J]稀有金属.2007,(S2)
[8]夏冬梅;王荣华;王琦;韩平;谢自力;张荣;.生长温度对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜性质的影响[J]稀有金属.2007,(S2)
[9]王荣华;韩平;曹亮;梅琴;吴军;葛瑞萍;谢自力;陈鹏;陆海;顾书林;张荣;郑有炓;.GaN/Al_2O_3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长[J]真空科学与技术学报.2008,(S1)
[10]梅琴;韩平;王荣华;吴军;夏冬梅;葛瑞萍;赵红;谢自力;修向前;张荣;郑有炓;.生长参数对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜中元素分布的影响[J]真空科学与技术学报.2008,(S1)
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[1]王荣华.危机下的转机[D].南京大学.2014
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中国重要会议全文数据库    共找到4篇
[1]吴军;王荣华;韩平;梅琴;刘斌;谢自力;修向前;张荣;郑有炓;.AlN/Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究[A].第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[2]俞斐;吴军;韩平;王荣华;葛瑞萍;赵红;俞慧强;谢自力;徐现刚;陈秀芳;张荣;郑有炓;.4H-Si_(1-y)C_y合金的生长及特性[A].第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[3]梅琴;韩平;王荣华;夏冬梅;王琦;赵红;谢自力;修向前;顾书林;施毅;张荣;郑有炓;.Si_(1-x)Ge_x:C合金薄膜的EDS元素深度分析[A].TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2007-08-01
[4]王荣华;韩平;曹亮;王琦;梅琴;夏冬梅;谢自力;陆海;陈鹏;顾书林;张荣;郑有炓;.GaN/Al_2O_3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
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