施伟华
【姓名】 施伟华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅薄膜,光电导,热淬灭,生长技术,非晶硅,氢化非晶硅,氢化,光学带隙,半导,氢气,晶化,衬底温度,光电性质,非晶态,硅烷,硅膜,氢稀释,沉积速率,低温生长,带隙,气体源,红外,准费米能级,薄膜沉积,氢...
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】 南京
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[1]陈茂瑞，陈坤基，姜建功，施伟华.利用逐层生长技术制备硅薄膜的研究[J]半导体学报.1994,(09)
[2]施伟华,陈坤基,杜家方,李志锋.氢化非晶硅(a-Si:H)光电导研究中的新现象[J]科学通报.1995,(16)
[3]施伟华，陈坤基，杜家方，李志锋.氢化非晶硅光电导研究中的新现象[J]南京大学学报(自然科学版).1995,(01)
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