江宁
【姓名】 江宁
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 多晶GeSi再结晶性质的研究
【发表文献关键词】 低温外延,外延硅,代位式,多晶,硼注入,电学性质,硅薄膜,外延层,再结晶性质,非晶化,GeSi,MOS结构,晶粒,掺杂工艺,离子注入,Si异质结,硅单晶,自组织生长,半导,退火再结晶,Ge量子点,杂质...
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】 南京
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[1]邓咏桢;孔月婵;江宁;郑有炓;朱顺民;韩平;施毅;张荣;.CVD生长Si基Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金层应变的研究[J]固体电子学研究与进展.2005,(04)
[2]朱顺明,江宁,臧岚,韩平,刘夏冰,程雪梅,江若琏,郑有,胡晓宁,方家熊.Si上Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元合金薄膜的生长[J]固体电子学研究与进展.2000,(04)
[3]吴军,顾书林,施毅,江宁,朱顺明,郑有炓,王牧,刘晓勇,闵乃本.生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响[J]高技术通讯.2000,(04)
[4]江宁,臧岚,江若琏,朱顺明,刘夏冰,程雪梅,韩平,王荣华,胡晓宁,方家熊.Si上Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元合金薄膜的化学气相淀积生长研究[J]半导体学报.1999,(08)
[5]江若琏,刘卫平,江宁,胡立群,朱顺明,郑有.SiGe外延层中硼注入和退火[J]半导体光电.1997,(05)
[6]江宁,顾书林,余是东,郑有炓.SiO_2上多晶GeSi再结晶性质的研究[J]半导体学报.1997,(03)
[7]江若琏,郑有炓,马金中,冯德伸,江宁,张荣,胡立群,李学宁.RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜的电学性质[J]半导体学报.1991,(08)
[8]江若琏;江宁;陈庆华;.Ge_xSi_1-x/Si异质结构的近红外吸收光谱测量[J]半导体光电.1991,(04)
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