徐稼迟
【姓名】 徐稼迟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 中子嬗变掺杂,GaAs,热氧化,体单晶,掺硅,P-N结,杂质分布,杂质浓度,硅层,单晶片,层剥离技术,氧化层,半导体化合物,热氧化温度,杂质,电阻法测量,二氧化硅界面,拉晶,光电器件,率常数,硼合金,...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]徐稼迟.一种获得P~+P结构的方法[J]半导体学报.1980,(02)
[2]徐稼迟,张德宏,孟祥提,徐小琳.GaAs中子嬗变掺杂初探[J]固体电子学研究与进展.1984,(02)
[3]林金庭,徐稼迟,王因生,桂德成,熊承堃.双掺硅单晶及其P-N结研究[J]固体电子学研究与进展.1984,(04)
[4]徐稼迟.GaAs的中子嬗变掺杂[J]物理.1984,(11)
[5]徐稼迟,桂德成,林金庭.双掺硅单晶基本物理特性的研究[J]固体电子学研究与进展.1985,(01)
[6]徐稼迟.第三届全国半导体化合物、微波和光电器件学术会议简讯[J]固体电子学研究与进展.1985,(01)
[7]桂德成,徐稼迟,林金庭.双掺硅片热氧化后形成p-n结的结深研究[J]固体电子学研究与进展.1985,(02)
[8]徐稼迟.全国电子能源材料、信息材料学术讨论会在天津召开[J]固体电子学研究与进展.1986,(03)
[9]谈克敏,徐稼迟.环境温度梯度与生长晶体内热弹性应力关系的理论分析[J]固体电子学研究与进展.1986,(04)
[10]徐稼迟,张德宏,徐小琳,王家英,孟祥提.GaAs中子嬗变掺杂的初步研究[J]核技术.1986,(03)
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