夏先齐
【姓名】 夏先齐
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 PI膜,GaAs,雪崩击穿,GaAs功率MESFET,聚酰亚胺,外延层,功率GaAs,GaAs场效应晶体管,振荡,雪崩击穿电压,Ku波段,双栅FET,亚胺,栅宽,MESFET,GaAs表面,表面钝化,...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]夏先齐.聚酰亚胺在微波GaAs FET中的应用[J]固体电子学研究与进展.1984,(04)
[2]夏先齐.GaAs功率MESFET的栅-漏雪崩击穿[J]固体电子学研究与进展.1985,(02)
[3]夏先齐.Ku波段振荡用GaAs场效应晶体管[J]固体电子学研究与进展.1987,(04)
[4]夏先齐,翁瑞.12～15GHz功率GaAs FET的研究[J]固体电子学研究与进展.1989,(03)
[5]梁波,林金庭,夏先齐,王福臣,杨玉昌.X波段GaAs单片压控振荡器[J]固体电子学研究与进展.1990,(04)
[6]梁波,林金庭,夏先齐,王福臣,杨玉昌.X波段GaAs单片压控振荡器[J]固体电子学研究与进展.1991,(03)
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