王福臣
【姓名】 王福臣
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 单片功率放大器,GaAs,压控振荡器,X波段,偏压电路,混合微波集成电路,MESFET,直流偏压,电子器件,大信号状态,匹配电路,回波损耗,变容管,S波段,管芯,夹断,电路,1/4波长,夹断电压,串联...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]王福臣，陈克金，林金庭.C频段内匹配砷化镓功率场效应晶体管[J]固体电子学研究与进展.1996,(02)
[2]宋山松,王福臣,陈克金,陈堂胜,蒋幼泉,林金庭.全离子注入C波段功率单片放大器及内匹配功率单片放大器[J]固体电子学研究与进展.1997,(03)
[3]叶禹康,王福臣,楼洁年.单片X波段GaAs MESFET振荡器[J]电子学报.1983,(03)
[4]王福臣,茅经怀,俞土法.单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器[J]固体电子学研究与进展.1985,(01)
[5]冯珅,王福臣,过常宁.单片集成GaAs MESFET微波开关——Ⅰ、微波开关MESFT工作原理[J]固体电子学研究与进展.1986,(01)
[6]王福臣.径向微带线元件的计算方法[J]固体电子学研究与进展.1986,(01)
[7]冯珅,王福臣,过常宁.单片集成GaAs MESFET微波开关——Ⅱ、宽带单刀单掷和单刀双掷开关电路[J]固体电子学研究与进展.1986,(02)
[8]王福臣,茅经怀,俞土法.12GHz单片组合低噪声GaAs MESFET放大器[J]固体电子学研究与进展.1986,(04)
[9]梁波,林金庭,夏先齐,王福臣,杨玉昌.X波段GaAs单片压控振荡器[J]固体电子学研究与进展.1990,(04)
[10]顾炯,陈硕颀,王福臣,过常宁,林金庭.两级GaAs单片功率放大器[J]固体电子学研究与进展.1990,(04)
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[1]冯坤;王福臣;过常宁;.G_aA_s单片微波开关[A].1985年全国微波会议论文集.1985-11-01
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