彭正夫
【姓名】 彭正夫
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体材料方面的研究工作
【发表文献关键词】 HFET,InGaAs/GaAs,GaAs,缓冲层,低温生长,转移电子器件,分子束外延,异质结,8mm波段,调制掺杂,PM-HEMT,低温GaAs,电子器件,HEMT,饱和速度,超晶格,光调制反射光谱...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]彭正夫，张允强，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏.InGaAs／GaAs异质结构材料及器件应用[J]固体电子学研究与进展.1994,(03)
[2]彭正夫，张允，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏.新颖的微波器件材料──InGaAs／GaAs异质结构[J]半导体杂志.1994,(01)
[3]彭正夫.利用加热器辐射热控制磷源温度合成InP的热场设计[J]稀有金属.1984,(04)
[4]彭正夫,朱经济,朱顺才.掺Fe或同时掺Fe和Ga半绝缘InP的电学性质分析[J]固体电子学研究与进展.1986,(02)
[5]彭正夫.利用加热器辐射热控制磷源温度合成InP的热场分析[J]固体电子学研究与进展.1987,(02)
[6]孔梅影,彭正夫.第一届全国MBE学术会议概况[J]固体电子学研究与进展.1992,(01)
[7]张允强,彭正夫,高翔,孙娟,黄文裕.Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的生长研究[J]固体电子学研究与进展.1992,(02)
[8]彭正夫,张允强,高翔,孙娟,朱顺才.调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的研究[J]固体电子学研究与进展.1992,(04)
[9]薛舫时,邓衍茂,张崇仁,彭正夫,张允强.异质结谷间转移电子器件在8mm波段输出320mW[J]固体电子学研究与进展.1992,(04)
[10]张允强,彭正夫,高翔,曹苏榕,孙娟.分子束外延低温生长GaAs缓冲层[J]固体电子学研究与进展.1992,(04)
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