陈统华
【姓名】 陈统华
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 击穿电压,P波段,JFET,脉冲功率,漏压,C波段,腐蚀速度,T形电极,电子器件,晶体管,腐蚀剂,L波段,结深,功率晶体管,内匹配,保护环,微波双极型晶体管,P-N结,二氧化硅,脉冲输出功率,单胞,功...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华.600　MHz　150W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.1994,(02)
[2]张树丹，王因生，李相光，陈统华，谭卫东，郑承志，刘六亭，陈培棣.C波段3瓦T形电极硅双极晶体管[J]半导体学报.1995,(01)
[3]陈统华，张树丹.掺砷多晶硅特性研究[J]固体电子学研究与进展.1995,(01)
[4]陈统华.硅上矩形沟槽的获得和JFET漏压的改善[J]固体电子学研究与进展.1984,(03)
[5]张树丹,王因生,陈统华,谭卫东,熊承堃.T形电极晶体管[J]固体电子学研究与进展.1993,(02)
[6]张树丹,王因生,李相光,陈统华,谭卫东.C波段3W硅功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.1993,(02)
[7]王因生,陈正东,谭卫东,张树丹,陈统华.P波段100W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.1993,(02)
[8]谭卫东,张纪生,熊承堃,王因生,张树丹,刘六亭,郑承志,陈统华,陈正东.L波段100W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.1993,(02)
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