江风益
【姓名】 江风益
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 宽禁带半导体发光材料与器件等方面的研究
【发表文献关键词】 摇摆曲线,双晶衍射,色散效应,X射线,金属有机物,ZnO,化学气相沉积,氧化锌,X射线双晶衍射,取向偏差,弯曲半径,外延膜,直接生长,GaN,Si衬底,热应力,LED,位错密度,取向差,TEM,DCX...
【工作单位】 南昌大学
【曾工作单位】 南昌大学;
【所在地域】 江西南昌
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中国期刊全文数据库    共找到114篇
[1]陈丹阳;王立;熊传兵;郑畅达;莫春兰;江风益;.Stress Distribution in GaN Films grown on Patterned Si(111) Substrates and Its Effect on LED Performance[J]Chinese Physics Letters.2013,(09)
[2]江风益;.实事求是闯新路——浅谈科技创新驱动新产业发展的基本逻辑[J]今日科苑.2022,(09)
[3]郭醒;王光绪;徐龙权;熊新华;杨俊宁;张建立;江风益;.硅基金黄光LED器件性能及应用研究[J]人工晶体学报.2020,(11)
[4]魏铎垒;张建立;刘军林;王小兰;吴小明;郑畅达;江风益;.p-GaN插入层调控InGaN基黄绿双波长LED发光光谱[J]发光学报.2020,(02)
[5]王苏杰;李树强;吴小明;陈芳;江风益;.热退火处理对AuGeNi/n-AlGaInP欧姆接触性能的影响[J]物理学报.2020,(04)
[6]廖芳;莫春兰;王小兰;郑畅达;全知觉;张建立;江风益;.量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响[J]发光学报.2020,(04)
[7]高江东;张建立;全知觉;刘军林;江风益;.Dependence of limited radiative recombination rate of InGaN-based light-emitting diode on lattice temperature with high injection[J]Chinese Physics B.2020,(04)
[8]郭娇欣;丁杰;莫春兰;郑畅达;潘拴;江风益;.Effect of AlGaN interlayer on luminous efficiency and reliability of GaN-based green LEDs on silicon substrate[J]Chinese Physics B.2020,(04)
[9]曾家明;王小兰;莫春兰;郑畅达;张建立;潘拴;江风益;.Effect of Barrier Temperature on Photoelectric Properties of Ga N-Based Yellow LEDs[J]Chinese Physics Letters.2020,(03)
[10]曹盛;吴小明;刘军林;江风益;.Carrier Dynamics Determined by Carrier-Phonon Coupling in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Blue Light Emitting Diodes[J]Chinese Physics Letters.2019,(02)
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中国重要会议全文数据库    共找到6篇
[1]王光绪;熊传兵;汪延明;肖宗湖;张萌;江风益;.Si衬底GaN电镀金属基板LED芯片性能研究[A].第十二届全国LED产业研讨与学术会议论文集.2010-09-09
[2]王立;莫春兰;熊传兵;汤英文;刘军林;方文卿;王小兰;刘卫华;周印华;江风益;.Si衬底InGaN大功率LED芯片制备[A].第十二届全国LED产业研讨与学术会议论文集.2010-09-09
[3]封飞飞;刘军林;江风益;.Si衬底GaN基功率型蓝光LED芯片老化性能研究[A].第十二届全国LED产业研讨与学术会议论文集.2010-09-09
[4]程海英;毛清华;汤英文;江风益;.Si衬底功率型绿光LED光电性能及其可靠性研究[A].第十二届全国LED产业研讨与学术会议论文集.2010-09-09
[5]王光绪;熊传兵;刘彦松;程海英;刘军林;江风益;.硅衬底GaN基单量子阱绿光LED量子效率的研究[A].全国光电子与量子电子学技术大会论文集.2011-03-18
[6]江风益;.固态照明光源流明效率分析[A].海峡两岸第十届照明科技与营销研讨会专题报告文集.2003-12-01
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]江风益.硅衬底氮化镓基LED球泡灯[A].南昌大学.项目经费 -.2010-10-15.资助文献数 0
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