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[1]曾宇昕,程国安,王水凤,肖志松.低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究[J]核技术.2003,(11)
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[2]肖志松,徐飞,程国安,易仲珍,张通和.EVVA源离子束合成镧硅化物[J]北京师范大学学报(自然科学版).2000,(02)
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[3]徐飞,肖志松,程国安,张通和,易仲珍,王水凤,谢大韬.MEVVA离子源金属掺杂蓝宝石着色的研究[J]北京师范大学学报(自然科学版).2000,(03)
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[4]刘洪刚,叶敦菇,程国安.等离子体增强热丝化学气相沉积法生长取向金刚石薄膜[J]南昌大学学报(理科版).2000,(01)
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[5]肖志松,徐飞,谢大韬,程国安,张通和.MEVVA源离子注入在宝石着色中的应用[J]宝石和宝石学杂志.2000,(04)
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[6]王水凤,曾宇昕,元美玲,徐飞,程国安.稀土La、Nd掺杂硅基薄膜光致发光特性[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
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[7]元美玲,曾宇昕,徐飞,王水凤,程国安.La、O~+双注入硅基薄膜室温可见光致发光研究[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
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[8]徐飞,程国安,肖志松,朱景环,王水凤,张通和.MEVVA离子源(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜近红外光致发光的研究[J]国外金属热处理.2000,(02)
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[9]肖志松,徐飞,张通和,程国安,杨锡震,顾岚岚,王迅.提高掺Er硅发光效率的途径与前景[J]材料导报.2000,(10)
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[10]徐飞,肖志松,程国安,易仲珍,曾宇昕,张通和,顾岚岚.(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射[J]半导体学报.2001,(10)
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