阎锋
【姓名】 阎锋
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 多孔硅,自然氧化,结构有序度,电子辐照,光生电压谱,衰减测量,皮秒,PL谱,谱峰,发光机理,有序度,HREM,异质结,空气中,表面态,光生电压,氧化多孔硅,电子衍射图,光谱移动,辐照,离子辐照,荧光,...
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】 南京
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[1]阎锋，鲍希茂.硅／多孔硅异质结光生电压谱研究[J]半导体学报.1994,(07)
[2]杨海强，阎锋，官浩，鲍希茂.离子辐照对多孔硅性质的影响[J]半导体学报.1994,(08)
[3]吴晓薇，鲍希茂，郑祥钦，阎锋.自然氧化引起的多孔硅光致发光光谱移动问题[J]物理学报.1994,(07)
[4]郑祥钦,杨海强,阎锋,鲍希茂.Photoluminescence Excitation Spectroscopy and Light Emission Mechanism of Porous Silicon[J]Chinese Science Bulletin.1994,(09)
[5]鲍希茂,杨海强,阎锋.离子辐照与发光多孔硅[J]自然科学进展.1995,(05)
[6]鲍希茂,杨海强,阎锋.Ion-irradiation and luminescent porous Si[J]Progress in Natural Science.1995,(05)
[7]章肖融,鲍希茂,阎锋,干昌明,蔡志岗,黄旭光,周世英.多孔硅荧光皮秒衰减测量与发光机理分析[J]物理学报.1993,(11)
[8]官浩,阎锋,鲍希茂,杨海强,吴晓薇,洪建明.自然氧化和电子辐照对多孔硅结构有序度的影响[J]半导体学报.1993,(08)
[9]郑祥钦;杨海强;阎锋;鲍希茂;.多孔硅光致发光激发谱测量与机理分析[J]科学通报.1993,(23)
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