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中国期刊全文数据库 共找到130篇

[1]邵鹏飞;成毅凡;柳裕;姚齐;乔赞江;彭扬虎;蔡青;陶涛;谢自力;陈敦军;刘斌;张荣;王科;.Impact of p-GaN thickness on the transport properties of two-dimensional hole gases in a GaN/AlGaN/GaN heterostructure[J]Chinese Physics B.2025,(11)

[2]李思琦;邵鹏飞;梁潇;陈松林;李振华;苏旭军;陶涛;谢自力;刘斌;M.Ajmal Khan;Li Wang;T.T.Lin;Hideki Hirayama;张荣;王科;.Molecular beam epitaxial growth and physical properties of AlN/GaN superlattices with an average 50% Al composition[J]Chinese Physics B.2024,(12)

[3]刘欢;邵鹏飞;柳裕;姚齐;陶涛;谢自力;陈敦军;刘斌;陆海;张荣;王科;.Growth diagram of AlN epilayers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy[J]Chinese Physics B.2025,(07)

[4]张钊荣;陈文娟;智婷;许非凡;窦蓉蓉;谢自力;庄喆;陶涛;刘斌;.AR/VR等近眼显示系统中的晕动症问题[J]激光与光电子学进展.2025,(12)

[5]陈凯;赵见国;丁宇;胡文晓;刘斌;陶涛;庄喆;严羽;谢自力;常建华;张荣;郑有炓;.Effects of Mg-doping temperature on the structural and electrical properties of nonpolar a-plane p-type GaN films[J]Chinese Physics B.2024,(01)

[6]柴旭朝;周东;刘斌;谢自力;韩平;修向前;陈鹏;陆海;张荣;郑有炓;.Effect of High-Temperature Annealing on Yellow and Blue Luminescence of Undoped GaN[J]Chinese Physics Letters.2015,(09)

[8]王文杰;陈鹏;于治国;刘斌;谢自力;修向前;吴真龙;徐峰;徐洲;华雪梅;赵红;韩平;施毅;张荣;郑有炓;.High-Efficiency InGaN/GaN Nanorod Arrays by Temperature Dependent Photoluminescence[J]Chinese Physics Letters.2013,(07)

[9]牛斌;王元;程伟;谢自力;陆海燕;常龙;谢俊领;.Common Base Four-Finger InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with Maximum Oscillation Frequency 535 GHz[J]Chinese Physics Letters.2015,(07)

[10]赵见国;殷瑞;徐儒;倪海彬;陶涛;庄喆;严羽;谢自力;刘斌;常建华;.极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征[J]发光学报.2024,(02)

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中国重要会议全文数据库 共找到38篇

[1]刘斌;李亮;张荣;谢自力;赵红;郑建国;韩平;修向前;陆海;陈鹏;郑有炓;.AlGaN薄膜和AlGaN/AlN超晶格结构横向/纵向生长及应变状态研究[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[2]苏辉;张荣;谢自力;刘斌;李毅;傅德颐;赵红;华雪梅;韩平;施毅;郑有炓;.同质衬底和蓝宝石上生长的InGaN/GaN量子阱的发光特性[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[3]张荣;修向前;陆海;陈鹏;谢自力;刘斌;韩平;刘治国;郑有炓;.GaN的HVPE生长研究[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[4]李毅;张荣;谢自力;刘斌;苏辉;傅德颐;赵红;华雪梅;韩平;施毅;郑有炓;.琥珀色InGaN基多量子阱的制备及其性能表征[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[5]崔旭高;张荣;谢自力;李鑫;陶志阔;刘斌;修向前;韩平;施毅;郑有炓;.自旋发光二极管原型器件的设计和制备[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[6]赵红;韩平;梅琴;刘斌;陆海;谢自力;张荣;郑有炓;.湿法化学腐蚀研究GaN薄膜中的位错[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[7]吴军;王荣华;韩平;梅琴;刘斌;谢自力;修向前;张荣;郑有炓;.AlN/Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[8]孙娟;谢自力;邱凯;尹志军;.(311)A GaAs衬底掺Si GaAs/AlGaAs p沟HFET结构材料特性[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[9]崔旭高;张荣;陶志阔;李鑫;修向前;谢自力;郑有炓;.MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[10]谢自力;张荣;崔旭高;陶志阔;修向前;刘斌;李弋;傅德颐;张曾;宋黎红;崔影超;韩平;施毅;郑有炓;.Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

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承担国家科研项目 共找到1个

[1]谢自力;.新型快速响应RCE紫外探测器的基础研究[A].南京大学;.项目经费 29万元.2006-03-27.资助文献数 16 篇

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【姓名】	谢自力
【职称】	教授;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】	半导体材料生长与器件制备研究
【发表文献关键词】	赝配结构高电子迁移率晶体管,GaN纳米线,反射式高能电子衍射,二维电子气,纳米线,RHEED,GaAs,MOCVD,带隙,异质结,分子束外延,半导,砷化镓,氮化,AlGaAs,晶格匹配,体材料,粘附系...
【工作单位】	南京大学
【曾工作单位】	南京大学;
【所在地域】	南京

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