谢世健
【姓名】 谢世健
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 Bi-CMOS,场效应晶体管,静电感应,C~2MOS,CMOS,栅控,pn结,表面效应,逻辑系列,负载电容,电荷,电场,五极管,逻辑电路,电流电压特性,埋层,下刀,栅压,电耳,锡屑,竹质,电路,叶迹,...
【工作单位】 南京工学院
【曾工作单位】 南京工学院;
【所在地域】
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[1]谢世健.Bi-CMOS器件[J]电子器件.1980,(02)
[2]谢世健,西沢润.静电感应场效应晶体管 SIT[J]电子器件.1980,(03)
[3]童勤义,谢世健,董克元,赵文霞,蔡世俊.栅控pn结表面效应及其应用[J]电子器件.1981,(03)
[4]谢世健.新的高速C~2MOS逻辑系列[J]电子器件.1984,(01)
[5]谢世健;丁璇英;.封闭硅栅CMOS电路经济结构设计[J]南京工学院学报.1984,(04)
[6]朱静远,丁璇瑛,谢世健,赵文霞.5微米全掺磷封闭硅栅CMOS工艺[J]微电子学与计算机.1986,(10)
[7]丁璇瑛,谢世健,朱静远,赵文霞.封闭硅栅CMOS电路中锁定的分析与防止[J]微电子学与计算机.1986,(10)
[8]谢世健;朱静远;张会珍;.MOS/双极高压复合结构中可控硅效应的抑制[J]南京工学院学报.1988,(04)
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