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陈德英
【姓名】
陈德英
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】
高压接口,集成兼容工艺,NMOS,CMOS兼容,漂移区,CMOS,基区,结深,夹断,S接口,驱动器,兼容工艺,双极,漏击穿电压,兼容技术,N阱CMOS,MOS器件,全集成,流量传感器,硅栅,双栅,漏区...
【工作单位】
南京工学院
【曾工作单位】
南京工学院;
【所在地域】
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共找到12篇
[1]唐国洪;陈德英;童勤义;庄庆德;.
高压PMOS集成器件和工艺设计
[J]微电子学与计算机.1988,(10)
[2]陈德英,庄庆德,童勤义,唐国洪.
一种CMOS、双极、低/高压接口集成兼容工艺
[J]电子器件.1984,(04)
[3]童勤义,庄庆德,唐国洪,陈德英.
以N阱CMOS为基础的各种兼容工艺
[J]微电子学与计算机.1984,(06)
[4]童勤义;唐国洪;陈德英;庄庆德;.
硅栅等平面CMOS集成电路设计规则的研究及应用
[J]南京工学院学报.1984,(03)
[5]童勤义;唐国洪;庄庆德;陈德英;.
300伏全兼容CMOS集成电路器件设计与工艺
[J]南京工学院学报.1984,(04)
[6]庄庆德,童勤义,陈德英,唐国洪.
高压NMOS与低压CMOS兼容的驱动器
[J]电子器件.1985,(04)
[7]唐国洪,童勤义,陈德英,庄庆德.
新型的低高压MOS接口电路
[J]半导体技术.1986,(02)
[8]唐国洪,陈德英,童勤义,庄庆德.
高压CMOS倒相器
[J]微电子学与计算机.1986,(11)
[9]童勤义,陈德英,唐国洪,庄庆德,黄金彪.
N阱CMOS全兼容技术
[J]半导体技术.1987,(01)
[10]黄金彪,童勤义,陈德英,刘方悟,方家云,李斌,周明.
全集成式流量传感器
[J]传感器技术.1987,(Z1)
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研究方向相近的学者
(学者,学者单位)
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