陈大金
【姓名】 陈大金
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 双栅,MOS电路,MOS器件,高可靠,电路结构,二次击穿,夹断,寄生,漏电压,漂移区,双栅结构,触发电流,器件的可靠性,基区宽度,功率半导体器件,功率半导体技术,漏结,工学院,源场,等离子显示,
【工作单位】 南京工学院
【曾工作单位】 南京工学院;
【所在地域】
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[1]陈德英,唐国洪,童勤义,吴伟,陈大金.一种新颖的高可靠电路结构——双栅高压MOS电路[J]半导体技术.1989,(02)
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