学者知网节

【姓名】	薛舫时
【职称】	研究员;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;
【研究方向】	于微波半导体器件、半导体电子态理论、异质结超晶格器件和GaNHFET研究
【发表文献关键词】	AlGaN/GaN,HEMT,电场弛豫振荡模,有源层,谷间电子,多电子束弛豫振荡模,高效大功率体振荡,异质谷间转移电子效应,微波功率,HFET,微波大功率,欧姆接触,宽禁带半导体,高电子迁移率晶体管,...
【工作单位】	南京电子器件研究所
【曾工作单位】	南京电子器件研究所;
【所在地域】	南京

中国期刊全文数据库 共找到84篇

[1]薛舫时;杨乃彬;孔月婵;陈堂胜;张凯;.GaN HFET应力偏置引发的阈值电压移动和电流崩塌[J]固体电子学研究与进展.2025,(06)

[2]薛舫时;杨乃彬;陈堂胜;.GaN HFET加应力后的虚栅和亚稳态能带[J]固体电子学研究与进展.2023,(02)

[3]薛舫时;杨乃彬;陈堂胜;孔月婵;.GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制(续)[J]固体电子学研究与进展.2021,(06)

[4]薛舫时;杨乃彬;陈堂胜;.GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌[J]固体电子学研究与进展.2022,(03)

[5]薛舫时;杨乃彬;陈堂胜;.GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌(续)[J]固体电子学研究与进展.2022,(04)

[6]薛舫时;杨乃彬;陈堂胜;孔月婵;.GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制[J]固体电子学研究与进展.2021,(05)

[7]薛舫时;杨乃彬;郁鑫鑫;.GaN HFET中的实时能带和电流崩塌(续)[J]固体电子学研究与进展.2019,(06)

[8]薛舫时;杨乃彬;陈堂胜;.GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带[J]固体电子学研究与进展.2020,(03)

[9]薛舫时;杨乃彬;陈堂胜;.GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带(续)[J]固体电子学研究与进展.2020,(04)

[10]薛舫时;孔月婵;陈堂胜;.GaN HFET中的能带峰耗尽[J]固体电子学研究与进展.2018,(06)

中国重要会议全文数据库 共找到6篇

[1]焦刚;陈堂胜;薛舫时;李拂晓;.蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HEMT研究[A].2003'全国微波毫米波会议论文集.2003-11-08

[2]韩春林;张杨;曾一平;高建峰;薛舫时;陈辰;.InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究[A].2007年全国微波毫米波会议论文集（上册）.2007-10-01

[3]韩春林;薛舫时;高建峰;陈辰;.InP基共振遂穿二极管研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[4]任春江;李忠辉;焦刚;钟世昌;董逊;薛舫时;陈辰;陈堂胜;.高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[5]孔月婵;薛舫时;周建军;李亮;陈辰;.BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[6]薛舫时;.纳米控制极和大功率谷间转移电子器件的研究[A].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000-11-01

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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