谭晶子
【姓名】 谭晶子
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MESFET,深能级,能级,离子注入,GaAs,电子陷阶,样管,空穴,DLTS,器件性能,漏电流,栅压,材料结构,DLTS谱,缓冲层,深空,有源层,夹断电压,固体器件,光敏性,
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]邵振亚,马式满,谭晶子.离子注入GaAs MESFET中深能级[J]固体电子学研究与进展.1985,(03)
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