娄书礼
【姓名】 娄书礼
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;核科学技术;
【研究方向】 半导体器件、部件和整机的可靠性研究
【发表文献关键词】 雪崩注入,锁定放大器,无人值守,介质谐振器振荡器,工作寿命试验,千兆赫,雷电冲击,雷电冲击试验,MESFET,GaAs,雷电,场效应放大器,可靠性研究,性能研究,注入锁定放大器,雷电模拟,厚膜电路,高...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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[1]陶有迁,娄书礼.电磁兼容试验及试验方法研究[J]光电子技术.1999,(03)
[2]娄书礼，陶有迁.GaAsFET辐射退化研究[J]核电子学与探测技术.1995,(01)
[3]娄书礼.振荡器的高可靠性研究[J]电子产品可靠性与环境试验.1996,(02)
[4]娄书礼.10GHz GaAs雪崩注入锁定放大器MTBF已达180,000小时[J]固体电子学研究与进展.1985,(03)
[5]娄书礼.8千兆赫无人值守中继机抗雷电冲击的性能研究[J]固体电子学研究与进展.1985,(04)
[6]刘鸿雁,娄书礼.全MESFET 8GHz无人值守中继机的可靠性研究[J]固体电子学研究与进展.1986,(01)
[7]娄书礼.高可靠X波段砷化镓场效应管介质谐振器振荡器[J]固体电子学研究与进展.1988,(02)
[8]娄书礼.高温工作寿命试验技术研究[J]固体电子学研究与进展.1993,(02)
[9]娄书礼,龚朝阳,金毓铨,苏德青.微波器件失效率快速试验方法研究[J]固体电子学研究与进展.1993,(04)
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