陈堂胜
【姓名】 陈堂胜
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;电信技术;物理学;
【研究方向】 GaAs微波功率场效应晶体管和GaAs微波单片电路、GaN微波功率管和单片电路的研制和开发工作
【发表文献关键词】 AlGaN/GaN,HEMT,低相移,砷化镓微波单片集成电路,微波功率,可变衰减器,超宽带,插入相移,MMIC,电子器件,谐振腔,微波大功率,输出特性,宽禁带半导体,栅宽,平面波导器件,可变衰减,高电...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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