陈克金
【姓名】 陈克金
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;电信技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 单片功率放大器,接收权,单片电路,砷化镓,单片接收,功率单片,GaAs,内匹配,离子注入,Ku波段,微波单片集成电路,接收机,行波功率放大器,GaAs功率MESFET,功率FET,砷化镓场效应晶体管,...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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[1]曹昕,罗晋生,陈堂胜,陈克金.直流磁控溅射制备用于G aA s M E SFET钝化的AlN的工艺研究[J]半导体学报.1999,(08)
[2]陈克金，邵凯.微电子技术新领域[J]电子工程师.1999,(04)
[3]陈克金,邵凯.微电子技术新领域[J]电子工程师.1999,(05)
[4]陈克金,邵凯.微电子技术新领域[J]电子工程师.1999,(06)
[5]陈克金，顾炯，盛文伟，毛昆纯，林金庭.GaAs亚微米自对准工艺技术研究[J]固体电子学研究与进展.1994,(02)
[6]岑元飞，林金庭，陈克金，樊晓龙.C波段GaAs单片有源环行器[J]固体电子学研究与进展.1994,(03)
[7]宋山松，林金庭，过常宁，陈克金.2～12GHz　GaAs单片行波放大器[J]固体电子学研究与进展.1994,(04)
[8]沈亚，过常宁，林金庭，陈克金.C波段单片矢量调制器[J]固体电子学研究与进展.1994,(04)
[9]钟慧卿，林金庭，陈克金，莫火石.12GHz　GaAs单片混频器[J]固体电子学研究与进展.1995,(01)
[10]陈克金，周焕文，李祖华.Ku波段高功率GaAs　FET[J]固体电子学研究与进展.1996,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]孙迎新;高葆新;林金庭;陈克金;.肖特基结电容与FET转移特性的改进模型[A].1995年全国微波会议论文集（上册）.1995-10-01
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