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陈继义

【姓名】	陈继义
【职称】	教授;
【研究领域】	无线电电子学;电力工业;电信技术;
【研究方向】	于GaAs单片集成电路研究
【发表文献关键词】	MMIC,多倍频程,X波段,模型,GaAs,数字衰减器,电子器件,三栅MESFET,金属半导体场效应晶体管,矢量调制器,多芯片,微波单片集成电路,模拟移相器,B位,开关模型,多栅场效应晶体管,数字,砷...
【工作单位】	南京电子器件研究所
【曾工作单位】	南京电子器件研究所;
【所在地域】	江苏南京

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中国期刊全文数据库 共找到25篇

[1]戴永胜,陈堂胜,俞土法,刘琳,杨立杰,陈继义,陈效建,林金庭.一种新颖的DC～50GHz低插入相移MMIC可变衰减器[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)

[2]陈新宇,徐全胜,陈继义,陈效建,郝西萍,李拂晓,蒋幼泉.宽带GaAs MESFET开关模型[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)

[3]李拂晓,蒋幼泉,陈继义,钮利荣,高建峰,邵凯,杨乃彬.高成品率砷化镓DPDT单片射频开关[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)

[4]陈新宇,郝西萍,陈继义.多栅GaAs MESFET开关的结构设计[J]半导体学报.2004,(04)

[5]洪倩,陈新宇,郝西萍,陈继义,蒋幼泉,李拂晓.多栅GaAs MESFET开关[J]固体电子学研究与进展.2004,(02)

[6]戴永胜,陈堂胜,岑元飞,俞土法,陈继义,李拂晓,陈效建.一种新颖的多倍频程180°GaAs MMIC数字移相器[J]固体电子学研究与进展.2000,(01)

[7]戴永胜,陈堂胜,岑元飞,俞土法,李辉,陈继义,李拂晓,陈效建.高性能DC-20GHz反射型GaAs MMIC SPST和SPDT开关[J]固体电子学研究与进展.2000,(02)

[8]戴永胜,陈堂胜,岑元飞,俞土法,李辉,陈继义,李拂晓,陈效建,林金庭.三种新颖的适合不同控制信号的超宽带单片移相器[J]固体电子学研究与进展.2000,(02)

[9]戴永胜,陈堂胜,岑元飞,俞土法,李辉,陈继义,李拂晓,陈效建,林金庭.一种新颖的多倍频程GaAs单片五位数字移相器[J]固体电子学研究与进展.2000,(02)

[10]刘琳,陈堂胜,戴永胜,杨立杰,陈继义,陈效建.一种X波段GaAsMMIC五位数字衰减器[J]固体电子学研究与进展.2000,(04)

中国重要会议全文数据库 共找到5篇

[1]李拂晓;蒋幼泉;陈继义;钮利荣;高建峰;邵凯;杨乃彬;.高成品率手机用砷化镓单片开关[A].2001年全国微波毫米波会议论文集.2001-10-01

[2]蒋幼泉;李拂晓;黄念宁;陈继义;邵凯;杨乃彬;.手机用砷化镓单刀双掷射频开关[A].2001年全国微波毫米波会议论文集.2001-10-01

[3]戴永胜;陈堂胜;俞土法;刘琳;杨立杰;陈继义;陈效建;林金庭;.几种新颖的超小型1-26GHz高性能11.25°GaAs MMIC移相器[A].2001年全国微波毫米波会议论文集.2001-10-01

[4]戴永胜;陈堂胜;俞土法;刘琳;杨立杰;陈继义;陈效建;林金庭;.一种新颖的DC～50GHz低相移MMIC可变衰减器[A].2001年全国微波毫米波会议论文集.2001-10-01

[5]陈新宇;陈继义;陈效建;郝西萍;蒋幼泉;李拂晓;.宽带GaAs MESFET开关模型[A].2001年全国微波毫米波会议论文集.2001-10-01