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[1]陶春旻;陶亚奇;陈诚;孔月婵;陈敦军;沈波;焦刚;陈堂胜;张荣;郑有炓;.AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质[J]半导体学报.2006,(07)
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[2]周春红;孔月婵;席冬娟;陈鹏;郑有炓;.Al/AlN/Si MIS结构的电学性质[J]固体电子学研究与进展.2006,(02)
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[3]孔月婵;郑有炓;.Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展[J]物理学进展.2006,(02)
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[4]孔月婵,郑有炓,储荣明,顾书林.Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响[J]物理学报.2003,(07)
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[5]孔月婵,郑有炓,周春红,邓永桢,顾书林,沈波,张荣,韩平,江若琏,施毅.AlGaN/GaN异质结构中极化与势垒层掺杂对二维电子气的影响[J]物理学报.2004,(07)
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[6]邓咏桢,孔月婵,郑有炓,周春红,沈波,张荣.硅基AlN应力和压电极化研究[J]稀有金属.2004,(03)
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[7]邓咏桢,郑有炓,周春红,孔月婵,陈鹏,叶建东,顾书林,沈波,张荣,江若琏,韩平,施毅.Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究[J]半导体学报.2004,(09)
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[8]周春红,郑有炓,邓咏桢,孔月婵,陈鹏,席冬娟,顾书林,沈波,张荣,江若琏,韩平,施毅.AlN-Si(111)异质结构界面陷阱态研究[J]物理学报.2004,(11)
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[9]邓咏桢;孔月婵;江宁;郑有炓;朱顺民;韩平;施毅;张荣;.CVD生长Si基Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金层应变的研究[J]固体电子学研究与进展.2005,(04)
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