姜建功
【姓名】 姜建功
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅薄膜,生长技术,光学带隙,氢气,晶化,光电性质,硅烷,硅膜,氢稀释,沉积速率,低温生长,带隙,气体源,红外,衬底温度,薄膜沉积,氢含量,电导测量,晶粒尺寸增大,成核,
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】 南京
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[1]陈茂瑞，陈坤基，姜建功，施伟华.利用逐层生长技术制备硅薄膜的研究[J]半导体学报.1994,(09)
[2]姜建功;李齐;章佩君;冯端;.Bi系超导体中界面的高分辨电子显微术研究[J]电子显微学报.1990,(03)
[3]姜建功,陈坤基,冯端.α—Ge:H和α—Ge:H/α—Si:H超晶格的研究[J]化学物理学报.1992,(06)
[4]徐骏;姜建功;蒋树声;陈坤基;.非晶态半导体多层膜结构的低角度X射线衍射研究[J]南京大学学报(自然科学版).1992,(02)
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[1]姜建功;李齐;章佩君;冯端;.Bi系超导体中界面的高分辨电子显微术研究[A].第六次全国电子显微学会议论文摘要集.1990-10-01
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