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[1]俞慧强;修向前;张荣;华雪梅;谢自力;刘斌;陈鹏;韩平;施毅;郑有炓;.用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究[J]高技术通讯.2014,(09)
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[2]李烨操;胡海楠;刘斌;张荣;滕龙;庄喆;谢自力;陈敦军;郑有炓;陈强;俞慧强;.富In组分的InGaN合金组分及温度对声子模特性的影响[J]中国科技论文.2013,(07)
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[3]俞慧强;李斌斌;张荣;修向前;谢自力;叶宇达;张孟群;陈强;沈剑沧;.掺Ni的ZnO粉末的Raman光谱研究[J]光学学报.2009,(05)
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[4]葛瑞萍;韩平;吴军;王荣华;俞斐;赵红;俞慧强;谢自力;张荣;郑有炓;.Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响[J]中国激光.2009,(05)
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[5]谢自力;张荣;修向前;韩平;刘斌;陈琳;俞慧强;江若琏;施毅;郑有炓;.用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究[J]物理学报.2007,(11)
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[6]修向前,张荣,李杰,卢佃清,毕朝霞,叶宇达,俞慧强,郑有炓.额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响[J]半导体学报.2003,(11)
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[7]李杰,张荣,修向前,卢佃清,俞慧强,顾书林,沈波,郑有炓.Mn~+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性[J]半导体学报.2003,(12)
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[8]修向前,张荣,徐晓峰,俞慧强,陈丽星,施毅,郑有炓.溶胶-凝胶法制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜[J]高技术通讯.2003,(03)
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[9]俞慧强,张荣,周玉刚,沈波,顾书林,施毅,郑有炓.III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制[J]高技术通讯.2003,(07)
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[10]李亮;张荣;谢自力;张禹;修向前;刘成祥;毕朝霞;陈琳;刘斌;俞慧强;韩平;顾书林;施毅;郑有炓;.MOCVD生长In_xGa_(1-x)N薄膜的表征[J]人工晶体学报.2005,(06)
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