刘治国
【姓名】 刘治国
【职称】
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 AlxGa1-xN/GaN,Pb(ZrTi)O3,C-V特性,GaN,MFS,PLD,PZT,TEM,SrBi2Ta2O9材料,铁电薄膜,隧道磁电阻效应,锌铁酸盐,MOCVD,ZnAl_2O_4,微结...
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】 江苏南京
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[1]蓝学新;欧欣;徐波;龚昌杰;李润;殷乔楠;夏奕东;殷江;刘治国;李爱东;闫锋;.Impact of Au Nanocrystal Size and Inter-Nanocrystal Distance on the Storage Characteristics of Memory Devices[J]Chinese Physics Letters.2013,(12)
[2]吴冬梅;宁仁杰;白刚;刘治国;.利用不同沉积温度和衬底控制压电/压磁异质结的磁电耦合系数[J]南京大学学报(自然科学).2017,(03)
[3]高松;向晖;徐波;夏奕东;殷江;刘治国;.Theoretical Study of Carrier Mobility in Two-Dimensional Tetragonal Carbon Allotrope from Porous Graphene[J]Chinese Physics Letters.2016,(08)
[4]朱信华;李爱东;刘治国;.扫描透射电子显微镜(STEM)在新一代高K栅介质材料的应用[J]无机材料学报.2014,(12)
[5]张婷;殷江;赵高峰;张伟风;夏奕东;刘治国;.Bipolar resistance switching in the fully transparent BaSnO_3-based memory device[J]Chinese Physics B.2014,(08)
[6]张艳;王增梅;陈云飞;郭新立;孙伟;袁国亮;殷江;刘治国;.0.5Ba(Ti_(0.8)Zr_(0.2))O_3-0.5(Ba_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3压电薄膜的摩擦、磨损性能[J]物理学报.2013,(06)
[7]殷江;袁国亮;刘治国;.铁电材料的研究进展[J]中国材料进展.2012,(03)
[8]朱信华;朱健民;刘治国;闵乃本;.BaTiO_3铁电纳米膜制备及物性和微结构表征[J]电子显微学报.2009,(02)
[9]王东生;于涛;胡安;吴迪;李爱东;刘治国;.氮氢混合气氛对SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜和粉末性能的影响[J]无机材料学报.2009,(04)
[10]朱信华;朱健民;宋晔;周舜华;刘治国;.水热反应条件对BaTiO_3纳米晶形成的影响及其原子尺度表面结构[J]电子显微学报.2009,(04)
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中国重要会议全文数据库    共找到8篇
[1]张荣;修向前;陆海;陈鹏;谢自力;刘斌;韩平;刘治国;郑有炓;.GaN的HVPE生长研究[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13
[2]毕朝霞;张荣;李卫平;殷江;沈波;周玉刚;陈鹏;陈志忠;顾书林;施毅;刘治国;郑有(火斗);.ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的MOCVD生长[A].2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30
[3]毕朝霞;张荣;李卫平;殷江;沈波;周玉刚;陈鹏;陈志忠;顾书林;施毅;刘治国;郑有炓;.Pb(Zr_(0.53)Ti(0.47))O_3/GaN结构的制备和电学性质研究[A].2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30
[4]于涛;王东生;吴迪;李爱东;夏奕东;胡安;刘治国;闵乃本;.氮氢混合气氛退火诱发SrBi_2Ta_2O_9薄膜铁电性能退化机理研究[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01
[5]王东生;于涛;孙波;游彪;胡安;吴迪;李爱东;刘治国;.氮氢混合气氛退火对SrBi_2Ta_2O_9薄膜铁电性能的影响[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01
[6]孟祥康;洪建明;刘毅;赵晓宁;刘治国;.二相TiAl基金属间化合物层片结构中的位错组态[A].第八次全国电子显微学会议论文摘要集（Ⅱ）.1994-10-01
[7]朱信华;洪建明;李爱东;朱健民;吴迪;周舜华;李齐;刘治国;闵乃本;.层状钙钛矿铁电薄膜的层错结构研究[A].第十一次全国电子显微学会议论文集.2000-06-30
[8]于涛;陈延峰;刘治国;陈晓原;孙力;闵乃本;周军;吉争鸣;.脉冲激光蒸发法制备LaNiO_3薄膜电极[A].第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1995-10-23
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承担国家科研项目    共找到3个
[1]刘治国;.下一代MOSFET用高介电系数栅介质材料的研究[A].南京大学;.项目经费 26万元.2005-03-31.资助文献数 0 篇
[2]刘治国;.铁电磁体和铁电-磁性微结构中磁电耦合新效应研究[A].南京大学;.项目经费 28万元.2003-03-31.资助文献数 2 篇
[3]刘治国.多元氧化物高介电系数介质材料在电荷存储器件中的应用研究[A].南京大学.项目经费 40万元.2009-03-20.资助文献数 0 篇
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