刘吟春
【姓名】 刘吟春
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 多层膜,界面缺陷,势阱,应变层,正电子湮没技术,子层,a-Si,非晶半导体,单层膜,过渡层,界面区,畸变,异质结界面,正电子湮没,势垒层,非晶材料,沉积膜,缺陷密度,多层膜系,a-Si,
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】 南京
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[1]王志超,滕敏康,刘吟春.用正电子湮没技术研究a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜中的界面缺陷[J]物理学报.1991,(12)
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