戴江南
【姓名】 戴江南
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;无线电电子学;物理学;
【研究方向】 半导体发光材料和器件的研究
【发表文献关键词】 双晶衍射,MOCVD,X射线,载流子浓度,常压MOCVD,原子力显微镜,迁移率,光致发光,ZnO薄膜,单晶膜,金属有机物,摇摆曲线,光致发光谱,化学气相沉积,衬底温度,氧化锌,色散效应,性能影响,Zn...
【工作单位】 南昌大学
【曾工作单位】 南昌大学;
【所在地域】 江西南昌
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中国期刊全文数据库    共找到18篇
[1]郑畅达;王立;方文卿;蒲勇;戴江南;江风益;.ZnO/AlN/Si(111)薄膜的外延生长和性能研究[J]光学学报.2006,(03)
[2]戴江南;王立;方文卿;蒲勇;李璠;郑畅达;刘卫华;江风益;.常压MOCVD生长Ga_2O_3薄膜及其分析[J]发光学报.2006,(03)
[3]苏宏波;戴江南;蒲勇;王立;李方;文卿;江风益;.生长温度对ZnO薄膜性能的影响[J]半导体学报.2006,(07)
[4]苏宏波;戴江南;王立;蒲勇;方文卿;江风益;.N_2O为氧源金属有机化学气相沉积生长ZnO薄膜的光学性能研究[J]光学学报.2006,(07)
[5]邵碧琳;江风益;戴江南;王立;方文卿;蒲勇;.常压化学气相沉积法在Ag/Si(111)模板上生长ZnO薄膜及其性能研究[J]光学学报.2006,(07)
[6]李璠;王立;戴江南;蒲勇;方文卿;江风益;.常压化学气相沉积技术生长ZnO:H薄膜的光学性质[J]光学学报.2006,(10)
[7]程海英;王立;方文卿;蒲勇;郑畅达;戴江南;江风益;.MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜[J]南昌大学学报(理科版).2006,(06)
[8]万齐欣;熊志华;饶建平;戴江南;乐淑萍;王古平;江风益;.Ag掺杂ZnO的第一性原理计算[J]半导体学报.2007,(05)
[9]李璠;李冬梅;戴江南;王立;蒲勇;方文卿;江风益;.缓冲层厚度对Ti/Si模板上生长ZnO薄膜的影响[J]南昌大学学报(理科版).2007,(02)
[10]俞振南;姜乐;熊志华;郑畅达;戴江南;江风益;.磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜[J]南昌大学学报(理科版).2007,(05)
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中国博士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]戴江南.ZnO薄膜的常压MOCVD生长及掺杂研究[D].南昌大学.2007
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